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J-GLOBAL ID:200903085642371607
光半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮井 暎夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999006689
Publication number (International publication number):2000208860
Application date: Jan. 13, 1999
Publication date: Jul. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 光記録媒体の信号をより正確に出力することができる光半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子2から出射する信号検出用光の光軸が基板表面と略平行な状態となるように半導体レーザ素子2を半導体基板1の表面の凹部1aに搭載し、かつ凹部1aの一つの側面で半導体レーザ素子2の出射光を基板表面に対してほぼ垂直な方向に反射させるようにする。また、半導体基板1の表面における半導体レーザ素子2を設置した凹部1aの周辺領域に信号検出用受光素子3〜8を設け、半導体レーザ素子2の信号検出用光の出射方向を前方として凹部1aの底面における半導体レーザ素子2の後方の領域、斜め方向および側方に第1の遮光領域13を設け、凹部1aのうち少なくとも半導体レーザ素子2と信号検出用受光素子3〜8の間に存在する側面に第2の遮光領域10を設ける。
Claim (excerpt):
半導体レーザ素子からなり信号検出用光を出射する光源と、前記光源の信号検出用光の光軸が基板表面と略平行な状態となるように前記光源を搭載しかつ前記光源の信号検出用光を一つの側面で基板表面に対してほぼ垂直な方向に反射させる凹部を表面に設けた半導体基板と、前記半導体基板の表面における前記光源の周辺領域に少なくとも1つ以上設けた受光部と、前記光源の信号検出用光の出射方向を前方として前記凹部の底面における前記光源の少なくとも後方の領域に設けた遮光領域とを備えた光半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
H01S 3/18 612
, H01L 31/02 B
F-Term (16):
5F073BA02
, 5F073BA06
, 5F073BA09
, 5F073EA27
, 5F073EA29
, 5F073FA04
, 5F073FA13
, 5F073FA16
, 5F073FA30
, 5F088AB03
, 5F088BB01
, 5F088BB06
, 5F088BB10
, 5F088CB09
, 5F088EA09
, 5F088GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-002567
Applicant:三菱電機株式会社
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光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-058402
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
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光学ヘッドおよび光学ヘッドに使用される光検出器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-142082
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-001477
Applicant:松下電子工業株式会社
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