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J-GLOBAL ID：200903085679819527

薄膜形成装置

Inventor： 新井 康司 ,  豊田 真一郎 ,  筒井 裕二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245565
Publication number (International publication number)：1993085890
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体製品や電子部品等の製造工程において、気相結晶成長法により被処理体上に薄膜を堆積させるのに用いられる薄膜形成装置において、気化された液体原料の再液化を防止することのできる薄膜形成装置を提供することを目的とする。【構成】 原料ガス導入管を原料ガス導入用内管11と原料ガス導入用外管12の二重管とし、原料ガス導入用外管12に加熱したガスを流すことにより気化させた液体原料の再液化を防止する。

Claim (excerpt)：

反応室内にガス導入管により液体原料を気化させて供給し、基板上に所望の結晶層を成長させる気相結晶成長装置において、前記原料を含む気体を前記反応室内に導入し前記基板上に結晶層を成長させる際、前記ガス導入管を二重管とすることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4)：

C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/31