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J-GLOBAL ID：200903085683524744

半導体装置の突起電極

Inventor： 古川 芳明
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994127790
Publication number (International publication number)：1995335648
Application date： Jun. 09, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】 半導体装置1上に電極2と開口パターンを形成する保護膜3と、電極2と保護膜3上に形成する金属薄膜4と、金属薄膜4上に形成するストレートタイプのコア突起電極5と、金属薄膜4上とコア突起電極5上に形成する球状の半田突起電極6を有する。【効果】 本発明の突起電極の構造を採用することによって、突起電極の直径を小さく形成でき、かつ密着強度が強固となる。よって従来の突起電極の構造では不可能であった半導体装置の超微細な接続ピッチのFC実装を実現することができる。

Claim (excerpt)：

半導体装置上に電極と開口パターンを形成する保護膜と、電極と保護膜上に形成する金属薄膜と、金属薄膜上に形成するストレートタイプのコア突起電極と、金属薄膜上とコア突起電極上とに形成する球状の半田突起電極とを有することを特徴とする半導体装置の突起電極。