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J-GLOBAL ID：200903085686936881

分子線エピタキシー装置

Inventor： 藤井 智 ,  寺田 敏行
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102300
Publication number (International publication number)：1995291791
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Nov. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル結晶を成長させるために、高真空状態で高密度のプラズマを発生することができ、かつ結晶成長中の分子ビームを適正にフィードバック制御して基板上に高い品質の結晶を成長させることができる分子線エピタキシー装置を提供する。【構成】 結晶成長室側に開口すると共に窒素ガスの供給口を有する有底筒状のケーシングの底部に磁石が設けられ、更にケーシングの外周に高周波コイルを配設したプラズマ励起セルからなる励起セル装置を用いることにより、低圧であっても低い高周波パワーで高いプラズマ放電発光強度が得られることから、容易に窒素ガスを励起でき、また低圧であることから結晶成長室内に設けられた各分子ビームの強度を測定するためのセンサを設け、その測定値から成長原料の分子ビームの強度をフィードバック制御でき、分子ビームの強度を安定化できるようになる。

Claim (excerpt)：

基板の表面に、ガリウム系元素、窒素及びドーパントを供給して窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体エピタキシャル結晶を成長させるための分子線エピタキシー装置であって、前記窒素を活性化するための励起セル装置が、結晶成長室側に開口すると共に窒素ガスの供給口を具備する有底筒状のケーシングと、該ケーシングの底部に設けられた磁石と、前記ケーシングの外周に配設された高周波コイルとを具備するプラズマセルからなり、前記成長原料の分子ビームの強度を測定するべく前記結晶成長室内に設けられた分子ビーム強度センサと、前記分子ビーム強度センサの測定値から前記各原料の分子ビームの強度をフィードバック制御する制御装置とを有することを特徴とする分子線エピタキシー装置。

IPC (6)：

C30B 23/08 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203