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J-GLOBAL ID：200903085691301851
酵素電極
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八木 秀人 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256282
Publication number (International publication number)：1994109692
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 過酸化水素方式の酵素電極において、水素イオン濃度の変化を低減すること。【構成】 酵素電極1は、絶縁基板3上に形成された電極部4を有し、電極部4は、参照極4aと、第1および第2作用極4b,4cと、対極4dとを備えている。対極4dの一部と各極4a〜4dと端子部5とを接続する部分上には、絶縁膜6が設けられている。第1作用極4b上には、第1膜7が形成され、第2作用極4c上には、第2膜8が形成されている。第1および第2膜7,8上には、オーバーコート膜9が形成されている。第1膜7は、少なくともポリビニルアルコールと界面活性剤とを含むものである。第2膜8は、少なくともポリビニルアルコールと界面活性剤と酵素とを含むものである。オーバーコート膜9は、少なくともpH調整剤を含む高分子電解質からなるものである。
Claim (excerpt)：
絶縁性の基板上に形成した少なくとも一対の作用極と対極とを有する電極部と、一方の前記作用極上に形成された第1膜と、他方の前記作用極上に形成された第2膜と、前記第1および第2膜上に形成されたオーバーコート膜とを有する過酸化水素方式の酵素電極において、前記第1膜は、少なくともポリビニルアルコールと界面活性剤とを含み、前記第2膜は、少なくともポリビニルアルコールと界面活性剤と酵素とを含み、前記オーバーコート膜は、少なくともpH調整剤を含む高分子電解質からなることを特徴とする酵素電極。
IPC (2)：
G01N 27/327
, G01N 27/28 331
G01N 27/30 353 J
, G01N 27/30 353 B
