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J-GLOBAL ID：200903085695463600

表面処理方法およびプラズマ処理装置

Inventor： 大槻 林
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994033091
Publication number (International publication number)：1995216589
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 15, 1995
Summary：

【要約】【目的】 重金属汚染やパーティクルの発生を抑えることで所望の処理条件を満足することができる表面処理方法を提供すること。【構成】 アルミニウム表面に陽極酸化による被膜を形成し、この被膜の封孔処理後、プラズマCVD処理によってシリコン系被膜を積層する。これにより、陽極酸化膜の保護層を形成して、陽極酸化膜を透して析出する不純物の発生を防止する。

Claim (excerpt)：

アルミニウム部材表面に、陽極酸化により陽極酸化被膜を形成する陽極酸化処理工程と、上記アルミニウム部材表面の上記陽極酸化被膜に形成された細孔の封孔処理を行なう封孔処理工程とを含む表面処理方法において、上記封孔処理後、プラズマCVDによりシリコン系の被膜を成膜する成膜工程を含み、上記陽極酸化被膜上にシリコン系被膜を積層することを特徴とする表面処理方法。

IPC (10)：

C25D 11/18 312 ,  C25D 11/18 301 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 23/30 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-058706
  
• 特開昭63-108609