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J-GLOBAL ID：200903085696597490

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中石 雅文
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994015638
Publication number (International publication number)：1995226507
Application date： Feb. 10, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 MIS構造の半導体装置及びその製造方法に関し、動作速度の向上及び特性の均一性を向上する。【構成】 MIS構造の半導体装置において、ゲート電極5Gがα-Ta膜5αよりなる構造、ゲート電極がTiN とα- Taの積層膜よりなる構造、ゲート絶縁膜が多結晶SiC よりなりゲート電極がα-Ta膜よりなる構造、及びスパッタ形成したβ-Ta膜のゲート電極領域のみ選択的にα-Taとなし、α-Taとβ-Taとの選択エッチング性を用いて上記Ta膜からα-Taゲート電極をパターニングする工程を有する上記半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配設されるMIS構造を有し、該ゲート電極がα-タンタル膜よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G