特に磁気記録または光磁気記録用の磁気彫刻法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000527952
Publication number (International publication number)：2002501300
Application date： Jan. 12, 1999
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：

【要約】本発明は、薄層材料を、マイクロメーター以下の幅を有する帯域にわたって、前記材料の磁気特性、特にその保磁力、その磁気異方性およびそのキュリー温度などを局所的に改質するために制御照射することからなることを特徴とする磁気彫刻法に関する。

Claim (excerpt)：

薄膜材料を、1μmまたはそれ未満のオーダーの幅を有する領域にわたって、前記材料の磁気特性、例えば、その常磁力、その磁気異方性またはそのキュリー温度、を局所的に改質するために制御可能に照射することを特徴とする、磁気エッチング法。

IPC (4)：

H01F 41/14 , G11B 7/26 , G11B 11/105 511 , G11B 11/105 546

FI (4)：

H01F 41/14 , G11B 7/26 , G11B 11/105 511 M , G11B 11/105 546 C

F-Term (13)：

5D075CC01 , 5D075EE03 , 5D075FF02 , 5D075FH02 , 5D075GG01 , 5D121AA01 , 5D121GG04 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA23 , 5E049FC10 , 5E049GC06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-292699
特開昭61-154119
特開昭60-150613

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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