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J-GLOBAL ID：200903085704815299

炭素系化合物素子

Inventor： 宮永 昭治 ,  角野 真也
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991254461
Publication number (International publication number)：1994183710
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Jul. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は炭素クラスターC60(フラーレン)等のフラーレン構造を持ち一般式C2n(nは自然数)で表される炭素材料を電子素子の原料として用いることを目的とするものである。【構成】 フラーレン構造を持つ炭素材料にアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、ハロゲン元素、希土類元素、Tl、Ta,またはアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、ハロゲン元素、希土類元素、Tl、Taの混合物をドープして作製した半導体、伝導体または超伝導体を用いている炭素化合物素子を炭素薄膜でコーティングした構成。

Claim (excerpt)：

フラーレン構造を有し、一般式C2n(nは自然数)で表される炭素材料中にアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、ハロゲン元素、希土類元素、Tl、Ta、またはアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、ハロゲン元素、希土類元素、Tl、Taの混合物を不純物としてドープすることにより、p型半導体特性、n型半導体特性、導電体特性または超伝導特性を発現する炭素系化合物素子。

IPC (6)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ZAA ,  C30B 29/04 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01B 13/00 565

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• アルカリ金属をドープしたフラーレン系超伝導物質の作製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-163058   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-366503
  
• 炭素性化合物における導電率およびその様な化合物を使用する装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-060756   Applicant：アメリカンテレフオンアンドテレグラフカムパニー