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J-GLOBAL ID:200903085711967150

熱電変換素子、π型熱電変換素子対および熱電変換モジュールの各製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松隈 秀盛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997183146
Publication number (International publication number):1998074986
Application date: Jun. 24, 1997
Publication date: Mar. 17, 1998
Summary:
【要約】【課題】 加熱電変換素子の製造において、金属電極-熱電半導体電極間、熱電半導体間の接合を確実、かつ安定におこない、高効率、長寿命、高信頼性、の低温、中温ないし高温用もしくはこれらにまたがる広い温度範囲で高効率の熱電変換素子を得る。【解決手段】 熱電半導体材料5と電極材料6とを圧接させた状態で、放電プラズマ焼結を行って熱電変換素子本体と電極とが一体化された熱電変換素子を得る。
Claim (excerpt):
熱電半導体材料と、電極材料とを圧接させた状態で、プラズマ焼結を行って熱電変換素子本体と電極とが一体化された熱電変換素子を得ることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (5):
H01L 35/26 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34
FI (5):
H01L 35/26 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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