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J-GLOBAL ID：200903085711973762

半導体発光素子

Inventor：
門田 道雄

About 門田 道雄


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998196069
Publication number (International publication number)：2000031535
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ZnOバッファ層の上方の化合物半導体層の組成を変化させることなくZnOバッファ層を低抵抗化する。【解決手段】 導電性Si基板2の上に低抵抗のZnOバッファ層3を成長させ、その上にn型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8をエピタキシャル成長させる。Si基板2の下面にはn側電極9を、p型GaN層8の上面にはp側電極10を設ける。導電性Si基板2は比抵抗が1Ω・cm以下のものを用いる。また、ZnOバッファ層3には上層の各化合物半導体層に含まれない(Ga、Al、In以外の)不純物元素をドープすることにより比抵抗を1Ω・cm以下にする。このIII族の不純物元素としては、B、Sc、Y、La、Ac、Tlなどをドープでき、V族ではV、Nb、Ta、P、As、Sb、Biなどをドープすることができる。
Claim (excerpt)：
導電性Si基板の上に低抵抗のZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成した半導体発光素子において、前記ZnOバッファ層は、その上方の化合物半導体層の組成元素を含まないことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (11)：
5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA57 ,  5F041CA77 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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