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J-GLOBAL ID：200903085714461185

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 小林 金也 ,  大嶽 敦 ,  加藤 聖隆
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081263
Publication number (International publication number)：1999283976
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】誘電率が3.7以下で、SiO2膜との密着性が高いSiOF膜を有する層間絶縁膜を提供する。さらに本層間膜の成膜法として、SiH4ガスとSi F4ガスを用いたプラズマCVD法によるSiO2膜上へのSiOF膜の成膜において、SiF4流量を連続的に変化させる事により、SiO2とSiOF膜の界面における応力集中を低減し、SiOF膜成膜にて問題となっている膜剥がれ性を削減する方法を提供する。【解決手段】層間膜内のフッ素の膜内含有率の平均値が5原子%以上であり、かつ10nm膜厚当たりの膜内フッソ含有率の変化量の平均値が1原子%以下である事を特徴とする半導体層間絶縁膜。電磁石4による磁場と導波管から導入されるマイクロ波により、ボンベ5a内から導入口6aを通過して入ってくるガス7a(SiH4)、 7d(SiF4)とボンベ5b、 5c内から導入口6b、 6cを通過して入ってくるガス7b(O2)、 7c(AR)が電離し、プラズマが生成する。この時SiF4の流量を時間的に変化させることにより、半導体ウエハ-上に、誘電率が3.7以下で膜剥がれが従来並み低い絶縁膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

少なくともSiと酸素とフッ素を含む層間膜を有する半導体装置において、フッ素を含まないあるいはフッ素含有率が低い第1の膜、膜厚方向にフッ素含有率の傾斜がある第2の膜、および、フッ素含有率が前記第1の膜より高い第3の膜、 の3種の膜で構成される層間膜を有する事を特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K