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J-GLOBAL ID：200903085729805700

絶縁薄膜用の多孔性シリカ薄膜

Inventor： 花畑 博之 ,  井岡 崇明
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社
Agent (1)： 武井 英夫 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000374711
Publication number (International publication number)：2002173641
Application date： Dec. 08, 2000
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるCMP工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。【解決手段】 密度が0.5〜1.5で、密度(d)と、ヤングモジュラス(E)と硬度(H)との関係が下記関係式(1)および(2)で表され、アルキル基及び/又はフェニル基の含有量が全ケイ素原子数に対し5〜100モル%であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。 1.5+0.16e2.9d≦E≦2.0+1.5e1.8d ・・・(1) 0.2+0.042e2.4d≦H≦0.042e4.2d ・・・(2)〔但し式中、dは薄膜の密度、Hは薄膜の硬度、(E)はヤングモジュラスを示す。〕

Claim (excerpt)：

密度が0.5〜1.5で、密度と硬度との関係が下記関係式(1)で表され、アルキル基及び/又はフェニル基の含有量が全ケイ素原子数に対し5〜100モル%であることを特徴とする多孔性シリカ薄膜。 0.2+0.042e2.4d≦H≦0.042e4.2d ・・・(1)〔但し式中、dは薄膜の密度、Hは薄膜の硬度を示す。〕

IPC (6)：

C09D183/02 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/04 ,  C09D201/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (6)：

C09D183/02 ,  C01B 33/12 Z ,  C09D183/04 ,  C09D201/00 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

F-Term (39)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072HH30 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072PP05 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT19 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4J038DD022 ,  4J038DD082 ,  4J038DD242 ,  4J038DE012 ,  4J038DF012 ,  4J038DF042 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DN012 ,  4J038GA06 ,  4J038GA09 ,  4J038GA11 ,  4J038GA12 ,  4J038GA15 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02