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J-GLOBAL ID：200903085732185144

Biアミドを用いる強誘電体薄膜を製造するための低温CVD処理法

Inventor： フランク ヒンターマイヤー ,  ピーター ヴァン バスカーク ,  ジェフリー アール レーダー ,  ブライアン ヘンドリクス ,  トーマス エイチ バウム ,  デブラ エー デスロッチャーズ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  アドヴァンスト テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999531694
Publication number (International publication number)：2001511850
Application date： Dec. 10, 1998
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】化学蒸着処理法を、加熱した支持体上にBi酸化物、Sr酸化物及びTa酸化物の薄膜を、支持体の表面で前記酸化物の前駆物質を分解することによって形成させるために使用する。Bi酸化物の前駆物質は、Bi錯体であるが、これには、少なくとも1個のアミド基が含まれており、該Bi錯体が分解され、かつ450°C未満の温度で析出させられる。低温CVD法によって得られたBi酸化物、Sr酸化物及びTa酸化物の薄膜は、主として非強誘電性であるが、しかし、引き続く熱処理によって強誘電性薄膜に変えることができる。

Claim (excerpt)：

支持体上でのBi酸化物からなる薄膜の形成法において、前記方法が、Bi酸化物を形成させるためのBi酸化物の前駆物質の分解、この場合、前記のBi酸化物の前駆物質は、少なくとも1個のアミド基を有する;及び 前記の支持体上への前記のBi酸化物の析出を含むことを特徴とする、支持体上でのBi酸化物からなる薄膜の形成法。

IPC (4)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108

FI (3)：

C23C 16/40 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651