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J-GLOBAL ID：200903085733900734

マスクデータ又はレチクルデータの生成方法

Inventor： フレデリツク・スポロン-フイールダー ,  ナダー・シヤンマ ,  エドワード・リン
Applicant, Patent owner： ヒユーレツト・パツカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062696
Publication number (International publication number)：1993080486
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】レチクルパターンを形成するために用いられるレチクルデータが、レチクルパターンの不透明部分による光の回折により引き起こされる近接効果を有効に補正するために修正される。このレチクルパターン(72a,74a,76a,78a)の修正により、ウェハ上の露光パターンが、ウェハ上に形成される濃密パターン内の型と離間型とが等しくかつ予期される特性を有するような所望のパターンとされる。

Claim (excerpt)：

マスクパターン又はレチクルパターンの第1の不透明部分からの回折効果が前記第1の不透明部分に隣接する前記マスクパターン又はレチクルパターンの第2の不透明部分に関連した一表面上の型の型サイズに実際上影響を及ぼすときに現れる近接効果を補正するためのものであって、製造工程における一表面上の型を形成するための改良されたマスクパターン又はレチクルパターンに対応するマスクデータ又はレチクルデータの生成方法において、オリジナルのマスクデータ又はレチクルデータの生成工程と、オリジナルのマスクパターン又はレチクルパターンに対応して、前記オリジナルのマスクパターン又はレチクルパターンが一表面上に投射された場合に現れる前記近接効果の影響を受ける前記表面上の濃密パターンに属する型と離間した型との間に予想される型サイズの差異を補正するための前記オリジナルのマスクデータ又はレチクルデータの調整工程とを有することを特徴とするマスクデータ又はレチクルデータの生成方法。

IPC (2)：

G03F 1/00 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-026424