Pat

J-GLOBAL ID：200903085745634606

イオン注入装置

Inventor： 友吉 力 ,  菊池 修二 ,  友安 昌幸
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992213819
Publication number (International publication number)：1994036738
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 イオン注入に伴う被処理体の絶縁破壊を確実に防止し、また被処理体に対してコンタミネーションを抑えること。【構成】 ウエハWを複数枚周方向に配列した回転ディスク31の前にファラデーカップ2を配置し、このファラデーカップ2の外側にプラズマ発生部4を設ける。回転ディスク31からアースに流れる負の電流を検出する電流検出部6を設け、回転ディスク31を高速回転させておいてプラズマ発生部4の電源部51、52を投入し、前記負の電流が設定値を越えた後ビームゲート21を開くように制御を行う制御部7を設ける。前記負の電流はプラズマの到達量に対応するのでこれを検出することでプラズマの発生を確認でき、従ってウエハWにイオンビームが照射されたときには確実に電荷の中和を行うことができる。

Claim (excerpt)：

イオンビームの照射によりイオンが注入される被処理体の近傍にプラズマ発生部を配置し、プラズマ発生部で発生したプラズマ中の電子が被処理体の表面に引き寄せられて当該被処理体の表面の正の電荷を中和するイオン注入装置において、前記プラズマ発生部によるプラズマの発生を確認するプラズマ発生確認手段と、このプラズマ発生確認手段によりプラズマの発生を確認した後被処理体にイオンビームを照射するように制御を行う制御部と、を設けたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 N ,  H01L 21/265 T