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J-GLOBAL ID：200903085748042211

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 具 在 本 ,  徐 ▲文▼ 徹
Applicant, Patent owner： 三星エスディアイ株式会社
Agent (2)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005172358
Publication number (International publication number)：2006049836
Application date： Jun. 13, 2005
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】ゲート絶縁膜のうち、ソース・ドレイン電極及びゲート電極に対応する部分にグルー層を備えた有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を含んだ基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上部に形成されたソース・ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極の下部そしてソース・ドレイン電極間のゲート絶縁膜上に形成されたグルー層とを備える有機薄膜トランジスタである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を含んだ基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたソース・ドレイン電極と、 前記ゲート絶縁膜上で、且つ前記ソース・ドレイン電極の下及び前記ソース・ドレイン電極間に形成されたグルー層と、 前記ソース・ドレイン電極と前記グルー層の上に形成された半導体層と、 を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (4)：

H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28

F-Term (19)：

5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ、スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-109005   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 有機半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-259164   Applicant：コニカ株式会社