Pat
J-GLOBAL ID：200903085753591401

微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法

Inventor：
上島 聡史

About 上島 聡史


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 森岡 正樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000131367
Publication number (International publication number)：2001316863
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】本発明は、レジストパターンのパターン間隔を狭小化させた微細パターンの形成方法に関し、微細パターン形成材料を確実にレジストパターン表面に形成できる微細パターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】加熱や光照射により酸を発生する材料を含む第1のレジスト層3を基板1上に塗布してパターンを露光して現像する。現像液を洗浄液で洗浄して第1のレジストフレーム6を形成し、洗浄液7を基板1上に付着させた状態で基板1上に酸の存在で架橋する材料を含む微細パターン形成材料8を塗布する。加熱または光照射により第1のレジストフレーム6中に酸を発生させ、第1のレジストフレーム6と微細パターン形成材料8との界面に生じた架橋層で第1のレジストフレーム6を被覆するように構成する。
Claim (excerpt)：
加熱や光照射により酸を発生する材料を含むレジストを基板上に塗布し、前記レジストにパターンを露光して現像し、現像液を洗浄液で洗浄してレジストパターンを形成し、前記洗浄液を前記基板上に付着させた状態で、前記基板上に酸の存在で架橋する材料を含む微細パターン形成材料を塗布し、加熱または光照射により前記レジストパターン中に酸を発生させ、前記レジストパターンと前記微細パターン形成材料との界面に生じた架橋層で前記レジストパターンを被覆し、前記微細パターン形成材料の非架橋層を前記微細パターン形成材料用の現像液で現像し、当該現像液を洗浄液で洗浄することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (6)：
C25D 5/02 ,  C25D 7/00 ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/40 511 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/027
FI (6)：
C25D 5/02 E ,  C25D 7/00 K ,  G03F 7/30 501 ,  G03F 7/40 511 ,  G11B 5/31 D ,  H01L 21/30 570
F-Term (22)：
2H096AA30 ,  2H096BA09 ,  2H096GA17 ,  2H096GA29 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA03 ,  2H096JA04 ,  2H096LA30 ,  4K024AA09 ,  4K024AA15 ,  4K024BA01 ,  4K024BA09 ,  4K024BB14 ,  4K024FA06 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  5D033BA12 ,  5D033DA04 ,  5D033DA09 ,  5F046AA28 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM