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J-GLOBAL ID：200903085761465830

光半導体素子および光半導体素子の製造方法

Inventor：
中村 幸治

About 中村 幸治


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (3)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003107328
Publication number (International publication number)：2004319554
Application date： Apr. 11, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：
【課題】上部電極膜と下部電極膜との間の静電容量を小さく抑えることが可能な光半導体素子および光半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ100において,パッド部18-1の下方にi型InP層11が配されている。このi型InP層11は,誘電率が小さく,パッド部18-1と第3電極膜19との間の静電容量の低減に寄与する。しかも,i型InP層11が介在することによって,パッド部18-1と第3電極膜19の間隔が拡がり,パッド部18-1と第3電極膜19との間の静電容量がより一層低減する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1領域,第3領域,前記第1領域と前記第3領域に挟まれた第2領域をそれぞれ有する光半導体素子であって, 前記第1領域,前記第2領域,前記第3領域に延在する下部電極と, 前記第1領域に属する,前記下部電極上の活性層と, 前記第1領域に属する,前記活性層上の上部電極と, 前記第2領域に属する分離部と, 前記第3領域に属する,前記下部電極上の真性半導体層と, 前記第3領域に属し,前記上部電極と電気的に接続された,前記真性半導体層上の電極パッドと, を備えたことを特徴とする,光半導体素子。
IPC (1)：
H01S5/042
FI (1)：
H01S5/042 612
F-Term (14)：
5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA42 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073CB22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA14 ,  5F073FA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平1-114092
  • 特開昭62-173785
  • 光半導体集積素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-005954   Applicant：富士通株式会社
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