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J-GLOBAL ID：200903085762633478

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 稲増 崇 ,  和田 健司 ,  森田 春雪
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001246149
Publication number (International publication number)：2003059841
Application date： Aug. 14, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 処理面積の大型化、処理速度の向上、および処理品質の向上が可能な、プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置は、反応容器4、その中に設けられた高周波電極20、および高周波電極20に組合わせられた誘電体6を有する。高周波電極20は、互いに離された複数の小電極21〜29からなる。小電極21〜29のうち少なくとも2つにそれぞれ印加される高周波電圧は、大きさが互いに異なる。誘電体6は、小電極21〜29に対してプラズマ生成雰囲気側に突出している。誘電体6により、電極20によって印加される電界の強度分布が均一化できる。

Claim (excerpt)：

反応容器内において高周波電圧の印加により発生させられたプラズマにより所定の部材に処理を行う装置であって、前記反応容器内に設けられた、互いに離された複数の小電極からなる、前記高周波電圧を印加するための電極と、前記複数の小電極の間に挿入され、前記プラズマが発生させられる雰囲気よりも高い誘電率を有する誘電体とを備え、前記複数の小電極のうち少なくとも2つにそれぞれ印加される高周波電圧は、大きさが互いに異なるものであり、前記誘電体の前記雰囲気に対向する面と前記複数の小電極の前記雰囲気に対向する面との距離を変えることができるよう、前記誘電体の一部または全部が、前記複数の小電極に対して相対的に移動可能に設けられることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

F-Term (35)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075EC21 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB11 ,  5F004CA05 ,  5F004DB02 ,  5F004DB30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AF07 ,  5F045BB01 ,  5F045CA13 ,  5F045DP02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045EH20