酸化物超電導導体の製造装置および製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：志賀正武 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998130829
Publication number (International publication number)：1999329116
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】酸化物超電導薄膜の形成速度と形成される酸化物超電導薄膜の膜厚との向上と、反応ガスの供給状態の改善を図り、厚さの分布や組成が均一な酸化物超電導薄膜を形成し、超電導特性の優れた酸化物超電導体を効率良く製造する。【解決手段】酸化物超電導体の原料ガスを移動中のテープ状の基材表面に化学反応させて酸化物超電導薄膜を堆積させるCVD反応を行うリアクタと、該リアクタに原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、上記リアクタ内のガスを排気するガス排気手段と、これらを制御する制御手段とが備えられてなる酸化物超電導体の製造装置において、複数の反応生成室を直列に並べ、その間に遮断ガスの供給される境界室を設けて各反応生成室の反応条件を独立に制御し、ガスミキサによりガスの混合状態を均一にする。

Claim (excerpt)：

酸化物超電導体の原料ガスを移動中のテープ状の基材表面に化学反応させて酸化物超電導薄膜を堆積させるCVD反応を行うリアクタと、該リアクタに原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、上記リアクタ内のガスを排気するガス排気手段と、これらを制御する制御手段とが備えられてなる酸化物超電導体の製造装置において、前記リアクタは、基材導入部と反応生成室と基材導出部とにそれぞれ隔壁を介して区画され、該反応生成室がテープ状の基材の移動方向に直列に複数設けれられて、これら反応生成室の間に境界室が設けられ、各隔壁に基材通過孔が形成され、前記リアクタの内部に基材導入部と反応生成室と境界室と基材導出部とを通過する基材搬送領域が形成されるとともに、前記原料ガス供給手段が、原料ガス供給源と、酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段とを具備して、リアクタの各反応生成室ごとに設けられ、前記境界室には、両側の反応生成室どうしを遮断するための遮断ガスを供給する遮断ガス供給手段が接続され、前記制御手段により前記リアクタ内のガスの流れ状態を制御可能な構成とされることを特徴とする酸化物超電導導体の製造装置。

IPC (4)：

H01B 13/00 565 , C23C 16/44 , C23C 16/52 , H01B 12/06 ZAA

FI (4)：

H01B 13/00 565 D , C23C 16/44 D , C23C 16/52 , H01B 12/06 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

CVD反応装置および酸化物超電導導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-122891 Applicant：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
特公平6-006790

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