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J-GLOBAL ID：200903085766551034

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 鳥取 功
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992060696
Publication number (International publication number)：1993267298
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁層の表面段差を小さくすることにより、微細化に伴う接続孔や金属配線層のパターニングの形成などを容易にし、かつ高い電気的信頼性を得る。【構成】 半導体基板10の表面上に多結晶シリコン膜1が形成されている。多結晶シリコン膜1を被覆するように第1の不純物濃度を有する酸化膜3が形成されている。第1の不純物濃度を有する酸化膜3の表面上に多結晶シリコン膜4aおよび高融点金属シリサイド4bが形成されている。多結晶シリコン膜4aと高融点金属シリサイド4bを被覆するように第1の不純物濃度よりも高い第2の不純物濃度を有する酸化膜5が形成されている。第2の不純物濃度を有する酸化膜5の表面上に第3の導電層6が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面上に形成された第1の導電層と、前記第1の導電層を被覆するように形成された第1のガラス転移温度を有する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の表面上に形成された第2の導電層と、前記第2の導電層を被覆するように形成され、前記第1のガラス転移温度より低い第2のガラス転移温度を有する第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の表面上に形成された第3の導電層とを備えた、半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-313838
  
• 特開昭57-050449
  
• 特開昭58-034945