Pat
J-GLOBAL ID：200903085776130240
リンをドーピングしたシリコンの製造法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996259229
Publication number (International publication number)：1998112441
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：
【要約】【課題】 リンをドーピングしたシリコンの製造法の提供。【解決手段】 NTD法によるCZおよびMCZシリコンウエハーを製造するためのワーキングレシピの提供。従来の酸素沈積時の体積変化により発生する格子間シリコン(SiI)が、中性子により造り出された空格子点に入り込み、このため沈積によるさらなる酸素損失が容易に起こる、という点に留意して中性子強化S-曲線を造り上げられる。中性子供給源のカドミウム比は本発明の重要なパラメーターであり、曖昧さを避けるために厳密に定義される。レシピが有効であることの証拠が、これに従って製造したウエハー上に据え付けられたMOSコンデンサーとPN接合から導かれる特性化結果の形で与えられる。これらの結果から、少数担体の公称寿命、界面密度、および逆バイアス下での漏れ電流が、ブランクのプライムウエハーからのものと同じであることがわかる。
Claim (excerpt)：
約1×1017〜約2×1018原子/cm3の酸素含量を有する単結晶シリコンインゴットをCZ法により製造する工程;および明確に定めたカドミウム比を有する中性子を使用して、前記結晶に特定のトータル流束量の中性子を照射することによって、前記結晶中に天然に含まれているシリコン同位体Si30をリン同位体P31に変換する工程、これによりレシピにしたがって、前記結晶内に初期酸素含量の特定の酸素含量損失が起こる;を含む、リンをドーピングしたシリコンの製造法。
IPC (3)：
H01L 21/261
, C30B 29/06 502
, G06F 17/00
H01L 21/26 N
, C30B 29/06 502 Z
, G06F 15/20 D
