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J-GLOBAL ID：200903085777725328

半導体光アンプ

Inventor： 藤井 宏明 ,  上野 芳康
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342134
Publication number (International publication number)：1993152687
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 TE偏波光のみ、あるいはTM偏波光のみ増幅することが可能なフィルタ機能を有する半導体光アンプの提供。【構成】 [-1 1 1]方向または[1 -1 1]方向に秩序状態を有する活性層を備え、光導波路を[-1 1 0]方向または[1 -1 0]方向に形成しTE偏波光を選択的に増幅する半導体光アンプ。あるいは、[-1 1 1]方向または[1 -1 1]方向に秩序状態を有する活性層を備え、光導波路を[1 1 0 ]方向または[-1 -1 0]方向に形成しTM偏波光を選択的に増幅する半導体光アンプ。さらに、前記活性層が無歪あるいは面内圧縮歪を受けた量子井戸構造で構成されるTE偏波光を選択的に増幅する半導体光アンプ。さらに、前記活性層が面内引っ張り歪を受けた量子井戸構造で構成されるTM偏波光を選択的に増幅する半導体光アンプ。

Claim (excerpt)：

(001)半導体基板上に、[-1 1 1]または[1-1 1]方向に秩序状態を有するバルク活性層を備え、光導波路を[-11 0]または[1 -10]方向に形成したことを特徴とする半導体光アンプ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/35 501 ,  H01L 31/14