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J-GLOBAL ID：200903085782397398

薄膜形成方法

Inventor： 菊池 和夫 ,  松本 繁治 ,  税所 慎一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社シンクロン
Agent (1)： 臼村 文男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993277601
Publication number (International publication number)：1995109569
Application date： Oct. 08, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【構成】 第1の蒸発源21上に薄膜の膜厚を検知する第1の膜厚センサ43を設け、第2の蒸発源23上に薄膜の膜厚を検知する第2の膜厚センサ43を設け、第1と第2の膜厚センサの中間位置に、薄膜の膜厚を検知する第3の膜厚センサ45を設け、これら各膜厚センサからの測定値に基づいて、基板の移送方向と直交する方向における薄膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上に形成される最終膜厚を制御する。【効果】 薄膜堆積ゾーン内で基板を連続的に移送しつつ、中間点で基板の幅方向での膜厚分布を測定して、形成される最終膜厚をフィードバック制御することにより、大型基板または大量移送基板の幅方向での均一性を保ち安定して薄膜形成することができ、特に、大型パネル、フラットパネル等への薄膜形成に好適である。

Claim (excerpt)：

薄膜堆積ゾーン内で基板を該ゾーンの出発点から終点に向けて移送しつつ、蒸発源から薄膜形成物質を基板上に飛翔せしめて、基板上に薄膜を堆積させ、該出発点と終点との間の中間測定点で基板上に堆積した薄膜の膜厚を検知して測定し、この測定値に基づいて、薄膜堆積ゾーンの終点までに形成される基板上の薄膜の膜厚を制御する薄膜形成方法であって基板の移送方向と直交する方向に離間せしめ、基板と対向するように第1および第2の蒸発源を設け、主に第1の蒸発源から薄膜形成物質が飛翔する基板の通過位置に、基板に形成された薄膜の膜厚を検知する第1の膜厚センサを設け、主に第2の蒸発源から薄膜形成物質が飛翔する基板の通過位置に、基板に形成された薄膜の膜厚を検知する第2の膜厚センサを設け、上記第1と第2の膜厚センサの中間位置に、基板に形成された薄膜の膜厚を検知する第3の膜厚センサを設け、これら第1、第2および第3の膜厚センサからの測定値に基づいて、基板の移送方向と直交する方向における薄膜の膜厚分布を均等化するとともに、基板上に形成される最終膜厚を制御することを特徴とする薄膜形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-059064
  
• 特開平4-272170
  
• 特開昭60-059064
  
• 特開平4-272170