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J-GLOBAL ID：200903085786777969

光電変換素子

Inventor： 長江 偉 ,  藤本 隆光 ,  肥塚 裕至
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242714
Publication number (International publication number)：1999087064
Application date： Sep. 08, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電荷移動度を向上させることにより、特性の向上した光電変換素子を得る。【解決手段】 光電変換素子は電荷輸送層を備え、電荷輸送層が、ホッピング伝導による電荷輸送能を有しかつ配向が可能である高分子液晶材料からなっている。素子使用時に、電荷移動可能なホッピングサイト(分子の一部分)を配向させ電荷移動度を向上させる。

Claim (excerpt)：

電荷輸送層を備えた光電変換素子において、上記電荷輸送層が、ホッピング伝導による電荷輸送能を有しかつ配向が可能である高分子液晶材料からなることを特徴とする光電変換素子。

IPC (8)：

H05B 33/22 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/13 505 ,  G03G 5/07 ,  H05B 33/14 ,  C08G 77/14 ,  C08L101/12 ,  C09K 19/38

FI (8)：

H05B 33/22 ,  G02F 1/13 500 ,  G02F 1/13 505 ,  G03G 5/07 ,  H05B 33/14 ,  C08G 77/14 ,  C08L101/12 ,  C09K 19/38