Pat

J-GLOBAL ID：200903085795783483

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 荒井 三千男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 山谷 晧榮 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993121036
Publication number (International publication number)：1994333953
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関し、特にトラップ密度の小さい非単結晶半導体層を得ることを目的とする。【構成】 ガラス基板上に、例えば、ジシランガスを用いたCVD法でアモルファスシリコン層を成膜し、これをヘリウムのプラズマ中でアニールすることにより固相成長させて非単結晶半導体層を製造し、これにTFTを形成する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上の非単結晶半導体層に形成した薄膜トランジスタにおいて、ガラス基板上にアモルファスシリコン層を成膜し、このアモルファスシリコン層をヘリウムのプラズマ中でアニールすることにより固相成長させ、この固相成長させた層にトランジスタを形成したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20