半導体発光素子の評価装置及び評価方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993196419
Publication number (International publication number)：1995050331
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】ウェーハ段階で非破壊、非接触で発光素子の評価を可能とする評価装置及び方法を提供する。【構成】ウェーハ表面から活性層内部に光パルスを入射させ発生する発光の減衰時間を測定し、発光効率を支配する小数キャリアのライフタイムを求めることによって発光素子の発光効率を評価する。【効果】ウェーハ段階で発光素子の非破壊、非接触で発光素子の評価が可能となる。

Claim (excerpt)：

ウェーハ上に形成された発光素子の発光層のキャリアを励起して蛍光を生ぜしめるパルス光を発生する励起光発生手段と、前記パルス光を一方の焦点に導出し、他方の焦点に前記一方の焦点から発せられる光のみを導出する共焦点光学系と、前記一方の焦点の位置を前記発光層内部に位置させる位置決め手段と、前記他方の焦点に配置されて前記パルス光の照射に対する前記発光層内部の蛍光を検出する光検出手段と、前記蛍光を経時的に観測して、前記蛍光の減衰波形からライフタイムを求める波形解析手段と、予め得られているライフタイム及び発光効率相互の相関関係に基づいて、前記求められたライフタイムに対応する前記発光層内部の発光効率を推定する推定手段と、を備える半導体発光素子の評価装置。

IPC (2)：

H01L 21/66 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭59-029433
特開昭59-055013

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