Pat
J-GLOBAL ID:200903085837486719

高熱伝導性樹脂構造体およびそれを用いた半導体パツケージ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991217283
Publication number (International publication number):1993055413
Application date: Aug. 28, 1991
Publication date: Mar. 05, 1993
Summary:
【要約】【目的】 容易にかつ安定して優れた熱伝導性を達成することを可能にして樹脂構造体を提供する。また、放熱性を高めることによって、半導体パッケージの信頼性を向上させる。【構成】 樹脂マトリックス内に、熱伝導率が 130W/mK以上で、かつ電気絶縁性のセラミックス粒子を熱伝導性充填剤として分散、含有させた樹脂構造体である。この高熱伝導性樹脂構造体は、例えば半導体パッケージ4において、半導体チップ2を気密封止する樹脂部材3として使用される。
Claim (excerpt):
樹脂マトリックス内に、熱伝導率が 130W/mK以上で、かつ電気絶縁性のセラミックス粒子を熱伝導性充填剤として分散、含有させたことを特徴とする高熱伝導性樹脂構造体。
IPC (3):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/34

Return to Previous Page