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J-GLOBAL ID:200903085838989218

半導体デバイスおよび製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 合田 潔 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994076400
Publication number (International publication number):1994326065
Application date: Mar. 24, 1994
Publication date: Nov. 25, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体構造物の形状の上の表面を平坦化する方法を提供する。【構成】 半導体構造物の形状の上に、硬いポリッシング物質と軟らかいポリッシング物質とを交互に重ねた層を形成し、その後、上記の交互に重ねられた層をポリッシングして、形状の上に平坦な表面を作成する。この方法は、交互に層状に配置された硬いポリッシング物質と軟らかいポリッシング物質のポリッシングの速さの特徴を利用することにより、平坦化のプロセスを向上する。
Claim (excerpt):
半導体構造物の形状の上に平坦な表面を作成する方法であって、半導体構造物の高くなった部分と低くなった部分を有する形状の上に硬いポリッシング物質と軟らかいポリッシング物質を交互に配置した層を形成し、上記交互の層をポリッシングして上記形状の上に平坦な表面を形成する、ステップを有する方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-295239
  • 特開昭64-055845
  • 特開平4-290460
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