電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003305487
Publication number (International publication number)：2005079204
Application date： Aug. 28, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】高い電界効果移動度を示す電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともテトラベンゾ銅ポルフィリン結晶を含み、かつCuKαX線回折におけるブラッグ角(2θ)8.4°±0.2°、10.2±0.2°、11.8°±0.2°、16.9°±0.2°の少なくとも2つ以上においてピークを有する電界効果型トランジスタ。テトラベンゾ銅ポルフィリン結晶が下記一般式(1)で表される化合物からなる。【化4】(R2 は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数1以上12以下のアルキル基、オキシアルキル基、チオアルキル基、アルキルエステル基、R3 は水素原子またはアリール基)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

有機半導体層を有する電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が少なくともテトラベンゾ銅ポルフィリン結晶を含み、かつCuKαX線回折におけるブラッグ角(2θ)8.4°±0.2°、10.2±0.2°、11.8°±0.2°、16.9°±0.2°の少なくとも2つ以上においてピークを有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (31)：

5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

有機半導体材料及び有機電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-084816 Applicant：三菱化学株式会社

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