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J-GLOBAL ID:200903085848228169
半導体チップの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤本 勉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995142665
Publication number (International publication number):1996316177
Application date: May. 17, 1995
Publication date: Nov. 29, 1996
Summary:
【要約】【目的】 大型チップも割れや欠けの発生なく効率的に回収できて歩留りや製造効率に優れる半導体チップの製造方法を得ること。【構成】 熱収縮性基材(1)の上に設けた粘着層(2)にて接着固定した半導体ウエハをダイシング処理した後、前記熱収縮性基材を拘束状態(6)下に収縮処理を目的とした加熱処理を行い、その後、前記拘束状態の維持下に冷却させて形成したチップ(5)の全部又は一部の面の接着を解いた状態でチップを粘着層より回収する半導体チップの製造方法。【効果】 熱収縮性基材を拘束したままの加熱処理でチップと粘着面を分離でき、接着面積を減少させてチップの剥離回収に要する力を軽減できる。
Claim (excerpt):
熱収縮性基材の上に設けた粘着層にて接着固定した半導体ウエハをダイシング処理した後、前記熱収縮性基材を拘束状態下に収縮処理を目的とした加熱処理を行い、その後、前記拘束状態の維持下に冷却させて形成したチップの全部又は一部の面の接着を解いた状態でチップを粘着層より回収することを特徴とする半導体チップの製造方法。
FI (2):
H01L 21/78 P
, H01L 21/78 Q
Patent cited by the Patent: