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J-GLOBAL ID：200903085851252496

レジストパターンの形成方法

Inventor： 山名 慎治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997082051
Publication number (International publication number)：1998256149
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】レジスト特有の露光時の入射光と反射光の干渉によって生ずる定在波に起因する下地基盤段差上部と下部におけるレジストパターンの寸法変動を最小にするパターン形成方法の提供。【解決手段】段差を有する半導体基板にレジストを塗布時に、レジスト膜厚のパターン寸法依存性を示した曲線の極値の膜厚から略等間隔になるように、段差上部及び下部のレジスト膜厚を合わせこみ、段差上部及び下部のパターン寸法が等しくなるようにしている。

Claim (excerpt)：

段差上部及び段差下部のレジスト膜厚を、パターン寸法の変動のレジスト膜厚依存性について予め取得された特性曲線データに基づき、前記特性曲線において寸法変動の底又は頂に対応したレジスト膜厚を挟んで、該レジスト膜厚から略等距離となるような第1、第2のレジスト膜厚に、それぞれ設定し、前記段差上部及び前記段差下部のパターン寸法が略等しくなるようにした、ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16

FI (3)：

H01L 21/30 562 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 564 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-155514
  
• 特開平2-007515
  
• 特開平4-304619