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J-GLOBAL ID：200903085852437287

化合物半導体の単結晶の製造方法

Inventor： 只友 一行 ,  渡部 信一 ,  岡川 広明 ,  平松 和政
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994062813
Publication number (International publication number)：1995267787
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 GaNだけでなく、これを含むIII-V族の窒素系化合物の、より高品質な単結晶の製造方法を提供すること。【構成】 基板上1にバッファ層2を介して結晶成長させる工程を経ることによる、BN、AlN、GaN、InNからInGaBN、InGaAlN、InGaAlBN等にいたるIII-V族の窒素系化合物の単結晶3の製造方法である。該バッファ層2を形成する物質として、II族元素の酸化物から選ばれる少なくとも1種よりなる化合物、特に(BeO)x (ZnO)y (HgO)1-x-y を用いることを特徴とする。また、これにMgO、CaO、SrO、CdO、BaO等を適宜加えたものも使用可能である。

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層を介して結晶成長させる工程を経ることによる III族典型元素から選ばれる少なくとも1種の元素と窒素とからなる化合物半導体の単結晶の製造方法であって、該バッファ層を形成する物質が、II族元素の酸化物から選ばれる少なくとも1種よりなる化合物であること(但し、該化合物半導体がGaNである場合には、該バッファ層はZnO以外の化合物である)を特徴とする化合物半導体の単結晶の製造方法。

IPC (7)：

C30B 23/08 ,  C30B 19/00 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/208