Pat

J-GLOBAL ID：200903085852742004

配線又は電極用の配線材料、その製造方法、半導体素子及び超電導素子

Inventor： 松浦 幸仁 ,  足立 浩一郎 ,  岩田 浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997174829
Publication number (International publication number)：1999026825
Application date： Jun. 30, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡単な製造プロセスで、半導体素子や超電導素子の良好な配線パターンを形成できる配線材料を提供する。【解決手段】 シリコン基板11上にレーザーアブレーション法により堆積したシリコンクラスレート化合物Na2Ba6Si4612にマスク13を通してX線を数分間照射する(図1(a)参照)。これにより照射部を選択的にNa、Ba、Siからなる金属シリサイドとシリコンの混合物14に分解することができる(図1(b)参照)。その後、水で処理することにより金属シリサイドを除去して絶縁層のシリコン膜15を形成する。これにより、シリコン基板11上に導電性シリコンクラスレート化合物12と選択的に絶縁化された部分からなる微細配線パターニングが形成される(図1(c)参照)。

Claim (excerpt)：

半導体素子や超電導素子の配線や電極用として用いられる配線材料であって、電気的に低抵抗なシリコンクラスレート化合物の一部の領域に、電気的に高抵抗な領域を形成し、低抵抗な領域を配線として用いる配線材料。

IPC (3)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 21/3205 ,  H01L 39/06 ZAA

FI (3)：

H01L 39/22 ZAA G ,  H01L 39/06 ZAA ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-089342
  
• 特開平1-253258
  
• 特開昭64-067984
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Superconductivity in the silicon clathrate compound 8Na,Ba)xSi46