Pat

J-GLOBAL ID：200903085868118475

半導体部品の実装構造及び絶縁性接着剤

Inventor： 浅井 泰晴
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機製作所
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007866
Publication number (International publication number)：1995221125
Application date： Jan. 27, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 絶縁性接着剤層を挟んで対向する半導体部品と金属部材間の絶縁耐圧を予め設定した設定耐圧値以上とする。【構成】 パワー素子3と銅またはアルミニウムからなる金属ベース4間に絶縁性接着剤層7が形成されている。絶縁性接着剤層7はシリコン系樹脂またはエポシキ系樹脂からなるマトリックス部8と、所定粒径Dを有するアルミナ(Al2O 3)またはシリカ(SiO2 )からなるフィラ6とから構成されている。パワー素子3の下面と金属ベース4の上面は絶縁性接着剤層7中のフィラ6をほぼ狭持し、フィラ6のほぼ粒径に相当する距離を隔てて互いに対向している。フィラ6の粒径Dは、パワー素子3と金属ベース4間に予め設定された必要絶縁耐圧V1を絶縁性接着剤層7を形成する材料の絶縁破壊耐圧V2(kV/mm)で割った値V1/V2(mm)とほぼ等しく設定されている。

Claim (excerpt)：

半導体部品が金属部材に絶縁性接着剤層を介して接着された半導体部品の実装構造において、前記絶縁性接着剤層を挟んで絶縁される前記半導体部品と前記金属部材間の必要耐圧として設定された設定耐圧値を、前記絶縁性接着剤層を形成する絶縁性接着剤材料の絶縁破壊耐圧値で割って得られた値を、ほぼ粒径とする絶縁材料からなるフィラを前記絶縁性接着剤層中に分散させた半導体部品の実装構造。

IPC (3)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/40