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J-GLOBAL ID：200903085869128725

超電導膜の形成方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  斉藤 幸雄 ,  加茂 友一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991304492
Publication number (International publication number)：1993139705
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】超電導特性に優れた平滑な酸化物超電導膜を形成する酸化物超電導膜の製造方法及びその装置を提供する。【構成】成膜装置をターゲット5より発生する励起した金属原子または励起した微粒子で膜を形成する成膜室と酸素発生源より励起した酸素のある酸化室に分け、成膜室と酸化室の間をヒータにより加熱した基板が通過して酸化膜を形成する機構にする。【効果】平滑性に優れた酸化物超電導膜及び酸化膜が形成できることにより、エレクトロニクスデバイスへの応用が図れること及び長尺基板への酸化物超電導膜の形成も可能なので、超電導コイルへの応用も図れる。

Claim (excerpt)：

成膜法において、ターゲットより発生する励起した金属原子または励起した微粒子で膜を形成する成膜室と酸素発生源より励起した酸素のある酸化室間をヒータにより加熱した基板が通過して酸化膜を形成することを特徴とする超電導膜の形成方法。

IPC (8)：

C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/22 ZAA ,  C23C 14/56 ZAA ,  H01L 21/203 ZAA ,  H01L 21/31