半導体薄膜の製造方法と製造装置および半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999141887
Publication number (International publication number)：2000331945
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は半導体工業における半導体薄膜素子及びその製造方法に関し、特にアクティブマトリックス方式の液晶ディスプレイ等に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)及びその製造方法に関する。TFTの活性層として使用可能な結晶性シリコン薄膜の製造方法および製造方法。【解決手段】本発明ではプラズマの発生部分と基板との間に少なくとも一部分を遮蔽する位置に触媒体を設置する。これによりプラズマによる原料ガスの分解と触媒による加熱分解の効果により600°C以下の低温で結晶性の優れたシリコン薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

ガス導入口,真空排気口に接続された真空容器内において、半導体薄膜の構成元素を含む原料を減圧下で放電分解して発生したプラズマ中のイオン及びラジカルを、前記プラズマの発生部と少なくともプラズマの一部分を遮蔽されたところに設置された基板に照射して薄膜を形成する工程を有する半導体薄膜の製造方法であって、前記遮蔽物が触媒体であることを特徴とする、半導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 29/78 618 A

F-Term (66)：

5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE29 , 5F045AF07 , 5F045AF08 , 5F045AF10 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045CB05 , 5F045DA68 , 5F045DP04 , 5F045EH06 , 5F045EH10 , 5F045EH11 , 5F045EH14 , 5F045EH17 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG46 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-256969 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-186875
特開昭63-224217

Show all

Return to Previous Page