Pat

J-GLOBAL ID：200903085873047632

高誘電体薄膜の形成方法

Inventor： 西村 浩之 ,  佐竹 徹也 ,  足達 廣士
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995055860
Publication number (International publication number)：1996253319
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 均質で優れた電気特性を有するチタン酸ストロンチウム薄膜を容易にえること。【構成】 ストロンチウムアルコキシドとチタンアルコキシドとの混合溶液を加熱して複合アルコキシド溶液を生成する工程と、該複合アルコキシド溶液に多官能性化合物を添加して複合アルコキシドの誘導体を生成する工程と、該複合アルコキシドの誘導体を加水分解することによりゾルを生成する工程と、該ゾルを基板上に塗布したのちに焼成してチタン酸ストロンチウム薄膜を形成する工程とからなる高誘電体薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

ストロンチウムアルコキシドとチタンアルコキシドとの混合溶液を加熱して複合アルコキシド溶液を生成する工程と、該複合アルコキシド溶液に多官能性化合物を添加して複合アルコキシドの誘導体を生成する工程と、該複合アルコキシドの誘導体を加水分解することによりゾルを生成する工程と、該ゾルを基板上に塗布したのちに焼成してチタン酸ストロンチウム薄膜を形成する工程とからなる高誘電体薄膜の形成方法。

IPC (5)：

C01G 23/00 ,  C04B 35/46 ,  C23C 18/12 ,  H01B 3/12 326 ,  H01G 4/12 400

FI (5)：

C01G 23/00 C ,  C23C 18/12 ,  H01B 3/12 326 ,  H01G 4/12 400 ,  C04B 35/46 E