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J-GLOBAL ID：200903085875096401

容量素子及びその製造方法、並びに半導体装置

Inventor： 田村 哲朗 ,  能代 英之 ,  中林 正明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995245836
Publication number (International publication number)：1997092795
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 酸化物高誘電体膜を用いた容量素子に係り、電極の加工精度やスループットを改善できる容量素子の構造及び半導体装置を提供する。【解決手段】 一対の電極18、22と、一対の電極18、22の間に形成された誘電体膜20とを有する容量素子において、一対の電極28、22のうち少なくとも一方が、(200)配向した窒化チタンを含む材料により形成されている。

Claim (excerpt)：

一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された誘電体膜とを有する容量素子において、前記一対の電極のうち少なくとも一方が、(200)配向した窒化チタンを含む材料により形成されていることを特徴とする容量素子。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-082091   Applicant：株式会社東芝
• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136788   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 特開昭62-120066
  
• 特開平4-221848
  

Cited by examiner (4)

• 薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-082091   Applicant：株式会社東芝
• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136788   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 特開昭62-120066
  
• 特開平4-221848