Pat
J-GLOBAL ID：200903085877684220
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993127498
Publication number (International publication number)：1994077423
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明はCMOS構成をとる半導体集積回路装置においてはラッチアップ耐量の向上、半導体イメージセンサ装置において、光電キャリアの回り込み防止や残像特性の向上、バイポーラ要素を有する半導体装置においてスイッチング特性の向上等を図るものである。【構成】 単結晶シリコン半導体領域に電子線2MeV以上で、1e15/cm2 以上の照射を行い、照射後200°C以上のアニールを行うことで活性化エネルギー(バレンスバンドEvから)0.1eVで1.2から1.7E15/cm3 程度の濃度の浅い準位(Shallow level)と0.28eVから0.32eV程度で1.6から2.0E13/cm3 程度の濃度の深い準位(Deep level)とを再結合中心として、Siのバンドギャップ内に有する半導体基板が得られる。チップサイズの増大もなく、エピウエハも使わず廉価である。また半導体集積回路装置の工程終盤での加工が可能となる。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶半導体領域に、150Kにおいて活性化エネルギーが0.28eVから0.32eVで1.6×1013cm-3から2.0×1013cm-3の濃度の結晶欠陥を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 27/08 331
, H01L 21/263
, H01L 21/324
, H01L 27/06
, H01L 31/10
H01L 27/06 321 E
, H01L 31/10 A
