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J-GLOBAL ID：200903085883452659

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
藤原 正弘

About 藤原 正弘


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996221599
Publication number (International publication number)：1998065176
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ソース/ドレイン領域の抵抗を低減し、電流駆動能力の高い薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル領域及びソース/ドレイン領域を含む第1半導体膜102と、チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜103と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極104と、ゲート電極の表面に形成された絶縁膜105と、第1半導体膜のソース/ドレイン領域上に形成された第2半導体膜106とを備えている。第2半導体膜は、第1半導体膜のソース/ドレイン領域に接する第2のソース/ドレイン領域を含んでおり、ゲート電極104の上方に位置するギャップによって2つの部分に分離されている。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタであって、チャネル領域及びソース/ドレイン領域を含む第1半導体膜と、該第1半導体膜の該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極の表面に形成された絶縁膜と、該第1半導体膜の該ソース/ドレイン領域上に形成された第2半導体膜とを備え、該第2半導体膜は、該第1半導体膜のソース/ドレイン領域に接する第2のソース/ドレイン領域を含んでおり、しかも、該ゲート電極の上方に位置するギャップによって2つの部分に分離されている薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 W
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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