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J-GLOBAL ID：200903085905245644
半導体装置の配線接続構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991291296
Publication number (International publication number)：1993029476
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【構成】 アルミニウム配線膜49は、アルミニウム合金膜33、タングステン膜58、窒化チタン膜35の3層構造からなる。シリコン酸化膜51に形成されたスルーホール55を通してアルミニウム配線膜61とアルミニウム配線膜49とが電気的に接続されている。【効果】 窒化チタン膜35は光の反射率が小さいので、光の乱反射が起きる段差部30上でフォトリソグラフィを行なってもレジストの露光面積を所定面積にすることができる。このため段差部30上にスルーホール55を形成しても所望の寸法のスルーホール55を形成することが可能となる。また、スルーホール55形成の際に窒化チタン膜35がエッチング除去されても、タングステン膜58のエッチングスピードはシリコン酸化膜51のエッチングスピードより遅いので、アルミニウム合金膜33が露出することはない。したがって、アルミニウム合金膜33が露出することによる変質層の形成や残渣物の形成という問題が生じることがない。
Claim (excerpt)：
多層配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体装置の配線接続構造であって、第1配線層と、前記第1配線層上に形成され,前記第1配線層の表面に達する貫通孔を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第1配線層に電気的に接続された第2配線層と、を備え、前記第1配線層は、金属を含有する第1導電層と、前記第1導電層上に形成された第2導電層と、前記第2導電層上に形成された第3導電層と、を含み、前記絶縁層のエッチング条件下で、前記第2導電層のエッチングスピードは前記第3導電層のエッチングスピードより遅く、前記第3導電層の光の反射率は前記第2導電層の光の反射率より低い、半導体装置の配線接続構造。
Patent cited by the Patent：
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