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J-GLOBAL ID：200903085905555686

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 中園 卓志 ,  正木 裕一 ,  佐藤 肇 ,  中村 弘喜
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066825
Publication number (International publication number)：1993275699
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 本発明の薄膜トランジスタは、多結晶シリコンを主体として成るチャネル領域23、ソース領域25、ドレイン領域27を備え、各領域に水素もしくはハロゲンの少なくとも1つが連続的に5×1019/cm3 以上の濃度で存在している。【効果】 本発明によれば、膜中のミッドギャップ中の欠陥準位を消滅させ、薄膜トランジスタの蓄積側でのドレイン電流(ID )を防止することができ、また容易に製造することができる。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコンを主体として成るチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記各領域に水素もしくはハロゲンの少なくとも1つが連続的に5×1019/cm3 以上の濃度で存在していることを特徴とした薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-023639
  
• 特開昭62-245674
  
• 特開平2-130932
  
• 特開昭62-245674
  
• 特開昭62-145775
  
• 特開平2-103924