Pat
J-GLOBAL ID：200903085916222530
高電圧アモルファス半導体/アモルファスシリコン・ヘテロ接合半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
内田 敏彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164044
Publication number (International publication number)：1995022633
Application date： Apr. 30, 1981
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【構成】光学的バンドギャップEg.optが約1.85eV〜約2.30eVの範囲内にあり、かつ20°Cにおける電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1以上のアモルファスシリコンカーバイドを、p又はn型の少なくとも光照射する側に用い、かつp-i-n接合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であるp-i-nアモルファスシリコン系半導体装置。【効果】短絡電流Jscと開放電圧Vocに著しい改良効果が得られる。
Claim (excerpt)：
P-i-n接合アモルファスシリコン系半導体装置において、p又はn型の少なくとも光照射する側のアモルファス半導体は、光学的バンドギャップEg.optが約1.85eV〜約2.30eVの範囲内にあり、かつ20°Cにおける電気伝導度が約10-8(Ω・cm)-1以上のアモルファスシリコンカーバイドであり、かつp-i-n接合の拡散電位Vdが約1.1volts以上であることを特徴とするp-i-nアモルファスシリコン系半導体装置。
FI (2)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 N
