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J-GLOBAL ID：200903085916866640

窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor： 廣木 正伸 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 和泉 良彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001143131
Publication number (International publication number)：2002338396
Application date： May. 14, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板上の窒化物半導体層の転位を、簡易にかつ基板の全面にわたって均一に低減させた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】(0001)面または(0001)面から数度傾斜した面方位を持つサファイア基板1面上に形成した第1の窒化物層であるGaN層2と、GaN層2上に形成した第2の窒化物であるGaNからなる複数の突起状核5と、GaN層2および突起状核5上に形成した第3の窒化物層であるGaN層7とを有する窒化物半導体基板10と、サファイア基板1上にGaN層2を成長させ、その上にGaNからなる複数の突起状核5を成長させ、その上にGaN層7を成長させる窒化物半導体基板10の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した第1の窒化物層と、前記第1の窒化物層上に形成した第2の窒化物からなる複数の突起状核と、前記第1の窒化物層および前記突起状核上に形成した第3の窒化物層とを有することを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

F-Term (29)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F073CA01 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA04 ,  5F073EA28