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J-GLOBAL ID：200903085944669834

超微細セラミック粒子を組込んだトランジスター絶縁体層

Inventor： リー,ツ-チェン ,  オブライエン,ネルソン ビー.
Applicant, Patent owner： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
Agent (5)： 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  福本 積 ,  西山 雅也 ,  樋口 外治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002514796
Publication number (International publication number)：2004505452
Application date： Jan. 22, 2001
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

電界効果トランジスターの絶縁層が、超微細セラミック粒子をポリマーマトリックス中に分散させたもので形成されている。絶縁層の特性は、セラミック粒子とマトリックス成分の混合物を変化させることにより、変えることができる。成分を適切に選択すれば、ピンホールの影響を受けず、絶縁破壊の強さが大きく、かつ耐薬品性のある、高誘電率材料が得られる。この材料は、幅広いコーティング技術を用いて、比較的低い処理温度で施すことができ、ポリマー基板と共に使用するのに極めて適している。

Claim (excerpt)：

i)ゲート電極と、 ii)前記ゲート電極に近接した絶縁層と、 iii)前記ゲート電極とは反対側において前記絶縁層と近接しかつ相互に間隔のあけられたソース電極およびドレイン電極と、 iv)前記ソース電極と前記ドレイン電極とを接続する半導体層とを有し、 前記ゲート電極での電圧によって前記半導体が前記ソース電極と前記ドレイン電極とを電気的に接続するようになるよう前記ゲート電極が配置されているトランジスターにおいて、 前記絶縁層が a)ポリマーマトリックスと、 b)前記マトリックス中に分散した平均直径が約200nm未満のセラミック粒子とを含んでいることを特徴とする、トランジスター。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L21/312

FI (4)：

H01L29/78 617T ,  H01L21/312 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (26)：

5F058AA07 ,  5F058AC01 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA12 ,  5F110AA17 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD22 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF06 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK10 ,  5F110HK22 ,  5F110QQ14