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J-GLOBAL ID:200903085948129133

液晶表示装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993033035
Publication number (International publication number):1994250210
Application date: Feb. 23, 1993
Publication date: Sep. 09, 1994
Summary:
【要約】【目的】最小限ホトマスクで、信頼性が高くかつ良好な画質が得られる液晶表示装置の構造及びその製造方法を提供すること。【構成】映像信号電極およびソース電極上には保護絶縁膜が形成され、ゲート電極上のゲート絶縁膜と半導体膜は同一の平面形状であって、その形状は保護絶縁膜の平面形状に等しいか、または保護絶縁膜と映像信号電極とソース電極の平面形状の和に等しく、かつ映像信号電極とソース電極のパターンの下層には半導体膜とゲート絶縁膜が存在するようにした。【効果】配線の断線が防止出来、歩留まり,信頼性が高く,表示むらのない画質の良好な液晶表示装置を得られる。さらに簡略な製造工程により製造出来る。
Claim (excerpt):
基板上に形成された走査信号電極と、走査信号電極上に形成されたゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された映像信号電極およびソース電極と、前記ソース電極に接続された画素電極とからなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリックス基板および前記対向基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、前記映像信号電極およびソース電極上には保護絶縁膜が形成され、前記半導体膜とゲート絶縁膜は同一の平面形状であって、その形状は前記保護絶縁膜の平面形状に等しいか、または前記保護絶縁膜と前記映像信号電極と前記ソース電極の平面形状の和に等しく、かつ前記映像信号電極と前記ソース電極のパターンの下層には前記半導体膜とゲート絶縁膜が存在することを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3):
G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

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