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J-GLOBAL ID：200903085965576160

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 齋藤 達之 ,  福田 直樹 ,  芦原 洋司 ,  今井 俊則 ,  山口 日出 ,  大橋 直史
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999229160
Publication number (International publication number)：2001053077
Application date： Aug. 13, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Cu配線の信頼性を向上することのできる技術を提供する。【解決手段】 Cu膜7とバリア層を構成するTiN膜5との間に、化学量論的組成よりも窒素が不足したTix Ny (x>y)膜6を介在させることによって、Cu膜7とTiN膜5との接着性を向上させて、空洞やはがれのないCu膜7からなるCu配線MLを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁層に複数の凹パターンが形成され、前記凹パターンの内部に、下層から窒素化合物と導体膜とが埋め込まれており、前記導体膜と前記窒素化合物との間に、化学量論的組成よりも窒素が不足した化合物または金属膜が介在していることを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 R

F-Term (42)：

5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033LL10 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX01 ,  5F033XX13