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J-GLOBAL ID：200903085967325040

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 有本 宏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994238918
Publication number (International publication number)：1996107101
Application date： Oct. 03, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、プラズマ処理装置に関し、基板載置台にRFバイアスを印加しなくても、加速されたイオンをウエハ上に導けるようにしてチャージアップを抑制する。【構成】 プラズマ生成室11と、プラズマ生成室11の下流に設けられた処理室16と、プラズマ生成室11内に処理ガスを導入するガス導入口19と、プラズマ生成室11の外壁に巻回された、プラズマ生成室11内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第1のRF電極24と、処理室16の外壁に巻回された、処理室16内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第2のRF電極25と、処理室16内に設けられた基板載置台21と、プラズマ生成室11と処理室16間を仕切り、複数の孔15が設けられた接地電極板14と、接地電極板14に対向して上流に設けられ、プラズマ生成室11内のプラズマに電位を付与するRF電極板13とを有する。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の下流に設けられた処理室と、前記プラズマ生成室内に処理ガスを導入するガス導入口と、前記プラズマ生成室の外壁に巻回された、前記プラズマ生成室内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第1のRF電極と、前記処理室の外壁に巻回された、前記処理室内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第2のRF電極と、前記処理室内に設けられた基板載置台と、前記プラズマ生成室と前記処理室間を仕切り、複数の孔が設けられた接地電極板と、前記接地電極板に対向して上流に設けられ、前記プラズマ生成室内のプラズマに電位を付与するRF電極板とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341